汕头华汕电子器件有限公司
NPN
SILICON
TRANSISTOR
882
晶½管芯片说明书
█ 芯片简介
芯片尺寸：4 英寸（100mm）
芯片代码：C100AJ-00
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：1000×1000µm
2
焊½尺寸：B 极
215×215µm
2
；E 极
210×210µm
2
电极金属：铝
背面金属：金
典型封装：2SD882，HS882，H882
█ 管芯示意图
█ 极限值
（T
a
=25℃）
（TO-126、TO-126ML）
T
stg
——贮存温度…………………………………-55~150℃
T
j
——结温……………………………………………
150℃
P
C
——集电极功率耗散（T
c
=25℃）……………………10W
P
C
——集电极功率耗散（T
A
=25℃）……………………1W
V
CBO
——集电极—基极电压……………………………40V
V
CEO
——集电极—发射极电压…………………………30V
V
EBO
——发射极—基极电压 ……………………………5V
I
C
——集电极电流 ………………………………………
3A
I
B
——基极电流…………………………………………0.6A
（TO-126、TO-126ML）
█ 电参数
（T
a
=25℃）
参数符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
(sat)
V
BE
(sat)
C
ob
f
T
符
号
说
明
最小值 典型值 最大值 单 ½
1
1
400
0.5
2
µA
µA
V
V
pF
MHz
测
试
条
件
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
集电极—发射极饱和压降
基极—发射极饱和压降
输出电容
特征频率
60
0.3
1.0
45
90
V
CB
=30V，I
E
=0
V
EB
=5V，I
C
=0
V
CE
=2V，I
C
=1A
I
C
=2A，I
B
=0.2A
I
C
=2A，I
B
=0.2A
V
CB
=10V，I
E
=0，
f=1MHz
V
CE
=5V，I
E
=0.1A
